快科技 9 月 18 日音书，三星多年来是公共最大的 DRAM 内存供应商，亦然最大的 NAND 闪存供应商，关系词这两年来的发展并不太奏凯。

内存芯片方面，从 DDR5 时期就启动被 SK 海力士逆袭，HBM 内存更是逾期于 SK 海力士，甚至于斡旋 2 个季度被 SK 海力士赶超，保握了二三十年的内存一哥让位了。

闪存方面，其他厂商面前齐启动量产 300 层以上的 TLC、QLC 了，三星则被曝出 QLC 掉链子，其第九代 V9 闪存作念到了 280 层堆栈，旧年 4 月就启动量产，首批是 TLC 闪存，中枢容量作念到了 1Tb。

2024 年 9 月启动量产 V9 QLC 闪存了，然而被曝出有质料劣势，性能、蔓延齐有问题，全面量产 V9 QLC 闪存至少推迟到了 2026 年上半年。

三星的旗舰级 QLC 闪存依然停留在 V7 这一代，V8 这一代也莫得 QLC 类型闪存。

QLC 闪存容量更大，老本也更低一些，因此是 AI 时期最受接待的闪存，需求比 TLC 齐要高，三星关键本领掉链子，对他们的营收和份额显然会很不利。

在 QLC 闪存方面，SK 海力士依然是现时的纪录，8 月份晓谕第一个量产 300+ 层的 QLC 闪存，达到了 321 层，况且仍是启动量产，而且接口速率翻倍，写入性能还擢升了 56%，读取性能也擢升了 18%。